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Qualcomm inicia os trabalhos do Snapdragon 845, seu próximo SoC topo de linha

A Qualcomm está a todo vapor. Amanhã ela deverá apresentar os novos SoCs mid-high da série 600, a saber os modelos 660 (o sucessor do 652, que equipa alguns modelos premium mas não os mais potentes), 630 e 635 (destinados aos intermediários). O primeiro seria uma versão capada do topo de linha 835 enquanto os demais, atualizações do 625.

Só que a Qualcomm já está ao que tudo indica trabalhando em seu novo chip de ponta, voltado para os mais potentes Androids do mercado. O Snapdragon 845, que até então era meramente um rumor foi devidamente listado num dos sites oficiais da companhia, e algumas informações suculentas começaram a circular.

O site em questão é o CreatePoint, que exige login para acessar as informações mais importantes mas de qualquer forma os xeretas de plantão já conseguiram acessar a listagem de SoCs futuros a serem lançados pela Qualcomm; além dos já conhecidos 630 e 660, aparece também o Snapdragon 845 mas maiores informações acerca de suas capacidades ou data de lançamento não foram listadas.

Isso porque segundo rumores a Qualcomm irá forçar um pouco a barra com o 845, tencionando fabrica-lo num processo de litografia de apenas sete nanômetros. A saber o Snapdragon 835 foi impresso em 10 nanômetros, processo também empregado pela Samsung com sua linha Exynos e pela TSMC, que atualmente é a fabricante de processadores exclusiva da Apple para o iPhone e iPad. A IBM conseguiu atingir tal marca mas apelando para uma gambiarra, utilizando uma liga de silício e germânio e o pensamento geral é que miniaturizar os transístores além do processo de 10 nm é muito trabalhoso e consequentemente, muito caro.

Não que seja impossível: a Samsung declarou em ocasiões passadas ser capaz de produzir chips de cinco nanômetros e por ser parceira na pesquisa da IBM, não é tão difícil que ela consiga pelo menos atingir os 7 nm; como foi a empresa sul-coreana que fabricou o Snapdragon 820 e o 835 para a Qualcomm e fatalmente assumirá a tarefa mais uma vez há a possibilidade real de que ambas não estejam blefando, desde que os rumores acerca dessa afirmação sejam verdadeiros. O mais provável é que o 845 represente uma melhoria geral em performance e gerenciamento de energia, como é de costume a cada novo SoC introduzido pela Qualcomm. Mas ficaremos de olho de qualquer forma.

Fontes: WCCFTech e AndroidHeadlines.

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Autor: Ronaldo Gogoni

Um cara normal até segunda ordem. Além do MeioBit dou meus pitacos eventuais como podcaster do #Scicast, no Portal Deviante.

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  • Qual é o limite teórico de litografia que se pode chegar nesse tipo de processador?

    • Diogo Santos

      Não existe um consenso acadêmico. Mas podemos considerar a grosso modo que seja possível até o nível em que o silício não perca resistência. Por volta de um pouco menos de 1 nanômetro

      • Alexandre Salau

        Até uma década atrás o limite era entre 10 e 14 nm … mas abaixo de 1nm vai ter que ser fotônico mesmo.

        • Diogo Santos

          Sim, o problema nesse cenário é a estabilidade do material

          • Alexandre Salau

            o problema da miniaturização abaixo de 10nm é o tunelamento quântico, isso gera muito ruído, por isso que estão apelando para materiais mais exóticos.

        • Doomed

          Aí, um dia, talvez, bem talvez, existam os computadores quânticos. Acho bem difícil mudar o panorama nesse sentido com a tecnologia atual.

        • PugOfWar

          positrônico hehehe
          Outra solução era aumentar o clock, o silício já está no limite, mas vi experiências com cristais e moléculas que possuem um clock muito mais alto

    • O limite teórico é 1 nanômetro (um átomo de espaço entre os transístores)

      • Rômulo Catão

        creio que um átomo seja uma ordem de grandeza menor que 1 nanômetro.

        • Wallacy

          No caso do silício usado nos chips acho que é 0.2nm.

          • Rômulo Catão

            muito próximo da conclusão que cheguei, se o limite físico for realmente um átomo de espaço entre os transistores, então é possível que seja menos de 1 nanômetro. talvez até 1/4 de nanometro

        • Deni Carson de Souza

          Sim, o nanômetro é o Métro dividido em 1 bilhão de vezes, ou 0,000000000001 Metros. Já o átomo de silício tem 210 pm. Normalmente, o problema é a forma de gravar os sulcos e fazer a dopagem dos outros materiais, (Cobre, ouro, etc…) nessa escala microscópica.

          • Rômulo Catão

            creio que seria interessante uma matéria sobre isso, sempre li que o limite era 1 nanômetro, mas não sei se quem diz se refere a esse nanômetro como espaço físico do transistor ou espaço físico do tamanho do sulco por exemplo.

            nessas condições até mesmo um transistor de meio nanômetro teria mais de um nanômetro, pela soma de todos os sulcos.

          • PugOfWar

            em 2002 falavam que o limite era cerca de 12nm, hehehe

          • Rômulo Catão

            A partir de agora não vamos fixar um limite, quando chegarmos ao limite cortaremos o limite pela metade.

      • Considerando que a TSMC já anunciou que pretende lançar processadores com litografia de 3nm, acho que não vai demorar pra chegar nesse limite.

      • Ivan

        Acho que é maior, não apenas o espaço fisico mas como se comporta e tem a condução eletrica, li que de 5 a 7 nm o slicio perde a qualidade de semicondutor.

      • Wagner Lopes

        átomo : 0,1 nanômetro.

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  • tuts

    Por favor Qualcomm, só 4 núcleos, eu nunca te pedi nada, no máximo 6

    • EmuManíaco

      SOC não.

      • The Last Prism

        Kkkkkkkkkkkkkkkk j

      • Theuer

        Ok, comentários encerrados.

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